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产品描述:
TESCAN SOLARIS X 是半导体和材料表征中具挑战性的物理失效分析应用的平台,具有精度和效率。 TESCAN SOLARIS X 提供了纳米尺寸结构分析所必需的高分辨率和表面灵敏度,为大体积 3D 样品特性分析提供了条件。同时,它还提供无与伦比的 FIB 功能,可实现无损的超大面积加工,包括封装技术和光电器件的横截面加工。
主要优势
新的 Essence 软件的用户界面可实现更轻松、更快速、更流畅的操作,包括碰撞模型和可定制的面向应用流程的布局;
新一代 Triglav™ UHR SEM 镜筒具有极佳的分辨率,优化的镜筒内探测器系统在低束流能量下具有性能;
轴向探测器通过能量过滤器,可以接收不同能量的电子信号,增强表面敏感性;
新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 镜筒具有无与伦比的视野,可实现极大面积的截面加工;
新一代 SEM 镜筒内探测器结合高溅射率 FIB,实现超快三维微分析;
专利的气体增强腐蚀和加工工艺,尤为适合封装和 IC 去层应用;
高精度压电驱动光阑,可实现 FIB 预设值之间的快速切换;
新一代 FIB 镜筒具有 30 个光阑,可延长使用寿命,并大限度地减少维护成本;
半自动离子束斑优化向导,可轻松选择 FIB 铣削条件;
专用的面向工作流程的 SW 模块、向导和工艺,可实现大的吞吐量和易用性。
特点
吞吐量,适用于挑战性的大体积铣削任务
新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 镜筒可提供高达 2 μA 的超高离子束束流,并保持束斑质量,从而缩短铣削任务的总时间。
新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 镜筒具有无与伦比的视野,可实现极大面积的截面加工
新型 iFIB 镜筒具有等离子 FIB-SEM 市场中大的视场(FoV)。 在30 keV 下大视场范围超过 1 mm,结合高离子束流带来的超高溅射速率,可在几个小时之内完成截面宽度达 1 mm 的电子封装技术和其他大体积(如 MEMS 和显示器)样品加工。这是简化复杂物理失效分析工作流程的最佳解决方案。
应用范围广阔,可扩展您在 FIB 分析和微加工应用范围
新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 离子束流强度可调范围大,可在一台机器中实现广泛的应用:大电流可实现快速铣削速率,适用于大体积样品去层;中等电流适用于大体积 FIB 断层扫描;低束流用于 TEM 薄片抛光;超低束流用于无损抛光和纳米加工。
充分利用电子和离子束功能
快速、高性能的气体注入系统(GIS)对于所有 FIB 应用都是必不可少的。新的 OptiGIS™ 具有所有这些品质,SOLARIS X 可以配备多达 5 个 OptiGIS 单元,或者可选配一个在线多喷嘴 5-GIS 系统。此外,不同的专有气体化学品和经过验证的配方可用于封装技术的物理失效分析
轻松实现 FIB 调节,并保证 FIB 性能
新型 iFIB+ 镜筒配有超稳定的高压电源和压电驱动光阑,可在 FIB 预设值之间快速切换。此外,半自动束斑优化向导允许用户轻松选择束斑,以优化特定应用的 FIB 铣削条件。
表面损伤和无Ga离子注入样品制备,以保持样品的特性
与 Ga 离子相比,Xe 离子的离子注入范围和相互作用体积明显更小,因此带来的非晶化损伤也更小,这在制备 TEM 样品薄片时尤其重要。此外,Xe 离子的惰性特性可防止研磨样品的原子形成金属化合物,这可能导致样品物理性质的变化,从而干扰电测量或其它分析。

