示波器 直流电源 双向直流电源 交流电源 直流电子负载 交流电子负载 数字万用表 弱信号/源表分析仪 阻抗分析仪/LCR 功率分析仪/功率计 函数/任意波形发生器 数据采集存储设备 电池测试设备
频谱分析仪 网络分析仪 射频/微波信号发生器 射频微波功率计 无线通信测试仪 其它射频测试设备
EMI电磁骚扰测试 EMS电磁抗扰度测试 汽车电子EMC测试仪器 半导体器件ESD测试系统 功率放大器/接收机 国军标测试设备
模拟光源 光电二极管检测 发光分析 损耗缺陷分析 量子效率检测
光学测量仪 照明光源测量 汽车光色特性测量 医疗器械光学性能测量 非视觉测量(红外&紫外) 材料光色特性测量 显示行业测量
产品描述:
SU7000不仅可以在低加速电压下获得高画质图像,而且还可以同时接收多种信号。此外,它还具备大视野观察、In-Situ观察等FE-SEM的众多优异性能。SU7000是一台实现了获取大量信息的新型扫描电镜,可以满足客户的多种观察需求。
核心理念
SU7000可以迅速获取从大视野全貌图到表面微细结构等多种检测信号。全新设计的电子光学系统和检测系统,使得装置可以同时接收二次电子和背散射电子等信号,用户可以在短时间内获得更全面的样品信息。
随着用户对成像需求的不断增长,SU7000特新增了几种探测器,还引进了相应的成像功能。SU7000可同时显示和保存6通道信号。
大型样品观察
低真空观察
超低温观察
实时观察
等所需的样品仓和真空系统都十分完备,观察方法也是一应俱全。
采用肖特基发射电子枪,束流可达到200 nA,适用于各种微纳解析。样品仓形状和接口设置支持EDX分析、EBSD、阴极荧光分析等,接口设备可通过选配附件满足各种特殊需求。
成像能力
随着用户对样品数据的需求更加多元化,对检测系统在短时间内捕捉更多的信息提出了更高的要求。SU7000的检测系统可以在不改变WD等条件的前提下,获取形貌、成分、晶体学以及发光等信息。真正实现了更快速、更全面的信息收集。

样品:包裹有机物的金属棒
样品提供:Vassar College, Chemistry Dept.
Mr. Smart and Ms. Pineda

通过UD、MD、LD探测器同时采集信号的应用实例 (加速电压:1 kV)
通过UD、MD、LD探测器可以同时采集信号,UD可获取表面微细形状信息,MD可获取表面有机物包覆状态信息,LD可获取整体凹凸形貌信息。在同一个条件下,实现了获取信息。
采用可多通道显示的GUI设计
成像单元在信号显示上也作了全新升级。
3.支持不同形状样品、多种观察方法
用户可根据观察需求,选择不同的视场角和通道数。
单屏可同时显示4通道信号。
导航功能(SEM MAP)可以轻松捕捉到显示样品仓内信息的CCD相机图像和相机拍摄到的样品图像,快速显示目标图像。
使用双屏显示时,可在一个显示屏上双通道显示1,280×960像素的图像,另一个显示屏专门用来显示信号,可同时显示6通道信号。

使用单屏时,可以单通道、双通道、四通道显示样品信息,也可以显示CCD相机图像、样品台图像/SEM MAP图像等。而且操作画面上的工具栏可以任意移动、添加和删除。

1st显示屏专门用来显示图像,2nd显示屏用来显示操作面板画面。上图左图(1st显示屏)是通过SU7000观察到的钢铁中非金属夹杂物的图片。图中清晰呈现出UD、LD、UVD、MD、PD-BSED5个探测器捕捉到的图像以及SEM MAP图。右图(2nd显示屏)将操作面板菜单和图像历史记录窗口在同一个画面中显示,界面布局清晰明了。在实现实时监控图像的同时,操作性能也得到了进一步提升。
可扩展观察和分析方法

样品仓外观
标配18个附件接口

马达台外观
XY轴可移动距离为135×100 mm
样品仓可搭载直径为φ 200 mm;高80 mm的样品。大开仓设计,标配18个附件接口。样品台可搭载XY轴移动距离为135×100 mm,重2 kg的样品。搭载大型样品和功能样品台完全不成问题。

通过相机拍摄样品

将相机拍摄到的图像显示到SEM MAP画面上进行导航
SU7000可选配导航相机(*),迅速锁定要观察的位置。相机安装在样品仓内,插入样品后,可半自动拍摄样品的整体图像。该图像会被显示到导航画面(SEM MAP)窗口,因此,用户可以观察窗口中的图像判断位置。适用尺寸为φ 100 mm。
(*)可选配相机。
SU7000可用于环境改变的动态观察。低真空观察时,可以选用PD-BSED(背散射电子探测器)、UVD、MD等各种探测器(**)。

左图为通过MD(背散射电子),右图为通过UVD(二次电子)探测器观察到的金属氧化物纤维的情况。两张图分别清晰地呈现出氧化物的分散状态和纤维的堆积情况。

左图是以一般的响应速度,约每两秒扫描一次得到的图像;右图整体的画质得到了大幅提升。随着响应速度的提高,更适用于In-Situ观察。
(**)可选配PD-BSED、UVD。
项目 | 内容 | |
图像分辨率 | 二次电子分辨率 | 0.8 nm/15 kV |
0.9 nm/1 kV | ||
放大倍率 | 20~2,000,000 x | |
电子枪 | 发射体 | ZrO/W热场发射(肖特基热场发射) |
加速电压 | 0.1~30 kV (步进:0.01 kV) | |
束流 | 200 nA | |
探测器 | 标准探测器 | UD (上探测器) |
MD (中探测器) | ||
LD (下探测器) | ||
选配探测器*1 | PD-BSED (半导体式背散射电子探测器) | |
UVD(高灵敏度低真空探测器 ) | ||
低真空模式*1 | 样品仓压力范围 | 5~300 Pa |
可使用探测器 | PD-BSED, UVD, UD, MD, LD | |
*1为选配项。
*2支持双屏显示。
