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产品描述:
专门为电子束敏感样品和需00万倍稳定观察的先进半导体器件,高分辨成像所设计。
用改良的高真空性能和优异的电子束稳定性来实现率截面观察。
采用全新设计的Super E x B能量过滤技术,灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。
具有电子光学系统自动调整功能。
新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.0 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)
